极紫外 (EUV) 光刻期间关于将来数年当代工艺期间和半导体制造至关遑急。关系词快播av，每台 EUV 器具的耗电量为 1400 千瓦（足以为一座小城市供电），EUV 光刻系统已成为影响环境的多量电力徒然者。
TechInsights 觉得 ，到 2030 年，系数配备 EUV 器具的晶圆厂的年耗电量将极端 54，000 千兆瓦 (GW)，这比新加坡或希腊等好多国度每年的耗电量还要多。
面前的低 NA EUV 扫描仪需要高达 1，170 kW 的功率，而下一代高 NA 器具预测每台需要高达 1，400 kW 的功率（凭证 TechInsights）。英特尔、好意思光、三星、SK 海力士，天然还有台积电运营的晶圆厂装置的此类机器数目每年王人在增多。
TechInsights 觉得，到 2030 年，配备 EUV 扫描仪的晶圆厂数目将从当今的 31 家增多到 59 家，初始中的拓荒数目将增多一倍把握。因此，系数装置的 EUV 系统每年将徒然 6，100 GW 的电力，这意味着到其时将稀有百台机器参加初始。
6，100 GW/年的耗电量（与卢森堡绝顶）不算多。关系词，制造每颗先进芯片需要 4，000 多个程序，而晶圆厂中稀有百种器具。EUV 拓荒约占晶圆厂总用电量的 11%，其余部分由其他器具、HVAC、设施系统和冷却拓荒组成。因此，系数配备Low NA 和High NA EUV 器具的晶圆厂的耗电量揣度将增多到 54，000 GW/年。
体来说，每年 54，000 千兆瓦的电力大要是 Meta 数据中心在 2023 年徒然的电力的五倍。这也极端了新加坡、希腊或罗马尼亚每年的电力徒然，是拉斯维加斯大路每年电力徒然的 19 倍多。关系词，天然这是一个绝顶大的电力量，但它仅占 2021 年群众电力徒然（25，343，000 千兆瓦/年）的 0.21%，这是一个绝顶小的份额。
很容易推断，淌若 59 个配备 EUV 器具的顶端半导体坐褥设施每年徒然 54，000 GW快播av，则每个设施每年将徒然 915 GW，与泉源进的数据中心的电力徒然绝顶。
露出勾引预测到 2030 年，配备 EUV 的晶圆厂数目将增多近一倍，而电力徒然也将增多一倍以上，电力基础设施将面对要紧挑战，因为即使在今天，AWS、谷歌、Meta 和微软等公司仍在辛勤寻找场所配置 兆瓦和千兆瓦级数据中心 ，因为电网必须有时处理它们。
吃电怪兽，EUV 光刻机
最近有著述对东说念主工智能对芯片制造电力徒然的影响提倡了劝诫。关系词，鼓动这一需求的具体半导体制造工艺尚不解确。半导体制造需要 100 多种不同类型的工艺器具，其中极紫外 (EUV) 光刻器具是最不菲且耗能最高的。EUV 器具代表了该行业的最新涌现，它有时在一平日英寸的硅片中塞入更多晶体管，以幽闲处理东说念主工智能、高性能筹谋和自动驾驶诓骗的需求。
光刻期间触及将晶体管图案印刷到硅片上，自 20 世纪 50 年代末以来一直用于半导体制造。几十年来，该行业冉冉采取波长更短的光来印刷更小的晶体管，而 193 纳米深紫外 (DUV) 光刻期间是曩昔 20 年的主力期间。
EUV 器具中使用的光的波长为 13.5 纳米，远远超出可见光谱，这代表着半导体制造的复杂性呈指数级增长。这种光在地球上不会天然产生。它必须使用高功率激光产生，激光撞击锡滴以产生等离子体，然后等离子体发出必要的光。在 EUV 器具中，这种强光源会穿过多个镜头或从镜子反射，在穿过机器时给与能量。关于刻下一代的 EUV 器具，督察这种光源和加工所需的真空环境需要每台器具高达 1，170 千瓦的功率。下一代 EUV 器具将采取高数值孔径 (High NA)，预测每台器具需要高达 1，400 千瓦的功率。
TechInsights 面前正在追踪 31 家使用 EUV 光刻期间的晶圆厂，另有 28 家晶圆厂将在 2030 年底前实行 EUV。这将使 EUV 光刻系统的数目增多一倍以上，这意味着仅 EUV 系统每年就需要极端 6，100 千兆瓦的电力。在本质宇宙中，这是拉斯维加斯大路一年用电量的两倍多。
天然有 500 多家公司坐褥半导体，但唯有少数公司有智力、有需乞降手段来因循 EUV 光刻系统，这对特定区域的动力网有影响。在无数目坐褥 (HVM) 中使用 EUV 系统的晶圆厂包括：台湾（台积电和好意思光）、韩国（三星和 SK 海力士）、日本（好意思光）、亚利桑那州（英特尔和台积电）、俄亥俄州（英特尔）、爱达荷州（好意思光）、俄勒冈州（英特尔）、纽约州（好意思光）、德克萨斯州（三星）、德国（英特尔）和爱尔兰（英特尔）。
图表披露了群众无数目制造工场中 EUV 器具年度用电量的预测增长情况。
需要属认识是，该图表仅披露了 EUV 器具的耗电量，而不是晶圆厂所需的总电量。事实上，EUV 器具仅占晶圆厂总耗电量的约 11%。其他工艺器具以及设施拓荒王人需要电力，包括用于因循洁净室器具的泵以及用于督察洁净室温度、湿度、气流和纯度的复杂 HVAC 系统。一言以蔽之，58 家使用 EUV 光刻期间的晶圆厂每年所需的总电力可能极端 54，000 千兆瓦，绝顶于拉斯维加斯大路一年用电量的 19 倍，可能会给台湾、韩国和好意思国的电网带来包袱。
EUV 光刻期间在半导体制造中的快速诓骗符号着一项要紧的期间飞跃，使坐褥对东说念主工智能、高性能筹谋和自动驾驶至关遑急的更小、更强大的晶体管成为可能。关系词快播av，这一极端对动力徒然产生了绝顶大的影响。到 2030 年，配备 EUV 的晶圆厂数目将增多一倍以上，电力需求将激增，对电力基础设施和可抓续性组成挑战。半导体行业、战略制定者和动力供应商必须协作开发立异措置决策，以均衡期间极端与环境照看。